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福田 幸朔; 岩本 多實
Journal of Nuclear Science and Technology, 12(3), p.181 - 190, 1975/03
被引用回数:10PC被覆粒子およびSiC被覆粒子を低照射した後、1200Cから1750Cまでの間で等温加熱し、Xe、BaおよびSrの放出率を測定した。これらの結果は計算機により数学的に解析され、PCおよびSiC中における拡散係数およびこれらの被覆材からの揮発係数が求められた。PC中における拡散係数はXeの場合210exp(-6110/RT)、Baの場合4、710exp(-5110/RT)であった。またPC表面からのBaの揮発係数は3、510exp(-4210/RT)であった。SiCからのFPの拡散および揮発係数は1750Cだけ求められた。PC中において、BaおよびXeの拡散係数および拡散の活性化エネルギーを比較することによって、BaとXeの拡散挙動のちがいが考察された。
馬場 澄子; 馬場 宏; 梅澤 弘一; 鈴木 敏夫; 佐藤 忠; 夏目 晴夫
JAERI 1211, 31 Pages, 1971/07
22種類の核分裂生成核種の半減期を測定した崩壊曲線は、ガスフロー型の比例計算管をもちいる線測定をおこなって得た。それらを、非線形曲線の最小二乗法によって、IBM-7044電子計算機を用いて解析した。解析の結果、すでに報告されている半減期の値と共に表示されている。